Пусть ’ s продолжат изучать процесс создания неровностей.

1. Подача и очистка пластины:

Перед началом процесса поверхность пластины может иметь органические загрязнения, частицы, оксидные слои и т. д., которые необходимо очистить либо влажным, либо сухим методом.

2. Литография PI-1: (Фотолитография первого слоя: Фотолитография полиимидного покрытия)

Полиимид (ПИ) — изоляционный материал, который служит изоляцией и опорой. Сначала он наносится на поверхность пластины, затем подвергается экспонированию, проявлению и, наконец, создается положение для выступа.

3. Напыление Ti/Cu (UBM):

UBM означает «подрезная металлизация», которая в основном предназначена для проводящих целей и подготавливает к последующему гальванопокрытию. UBM обычно изготавливается с использованием магнетронного распыления, причем наиболее распространенным является затравочный слой Ti/Cu.

4. Литография ПР-1 (фотолитография второго слоя: фотолитография фоторезиста):

Фотолитография фоторезиста определит форму и размер выступов, и на этом этапе открывается область, подлежащая гальваническому покрытию.

5. Покрытие Sn-Ag:

С помощью гальванической технологии сплав олова и серебра (Sn-Ag) осаждается в открытом положении, образуя выступы. На данный момент выступы не имеют сферической формы и не подвергались оплавлению, как показано на изображении на обложке.

6. PR-полоса:

После завершения гальванопокрытия оставшийся фоторезист (PR) удаляется, обнажая ранее покрытый затравочный слой металла.

7. Травление УБМ:

Удалите металлический слой UBM (Ti/Cu), за исключением области выступов, оставив только металл под выступами.

8. Перекомпоновка:

Проведите пайку оплавлением, чтобы расплавить слой сплава олова и серебра и дать ему возможность снова растекаться, образуя гладкую форму шарика припоя.

9. Размещение чипа:

После завершения пайки оплавлением и образования выступов осуществляется установка чипа.

На этом процесс переворачивания чипа завершен.

В следующем выпуске мы узнаем о процессе установки чипа.